ATO NAND FLASH：ATO25D1GA
ATO-SPI NAND FLASH-ATO25D1GA-1Gbit 3.3v
产品功能（一般）
串行外设接口
模式0和模式3
标准，四路SPI
标准SPI：SCLK，CS＃，SI，SO
四路SPI：SCLK，CS＃，SIO0，SIO1，SIO2 / W＃，SIO3 / Hold＃
单电源供电
全电压范围：2.7V至3.6V的读取，擦除和编程操作
组织
存储单元阵列：（128M + 4M）x字节
数据寄存器：（2048 + 64）x字节
自动编程和擦除
页面程序：（2048 + 64）x字节
块擦除：（128K + 4K）x字节= 64页
页面读取操作
页面大小：（2048 + 64）字节
页面读取（单元阵列到页面缓冲区）：25us（最大）
串行页面访问：104MHz，133MHz（CL = 15pF）
快速写周期
编程时间：200us（Typ。）
块擦除时间：2ms（典型值）
电子识别
JEDEC标准1字节制造商ID和1字节设备ID复制返回程序操作
快速页面复制，无需外部缓冲
安全功能
OTP区域，16K字节（8页）
硬件数据保护
编程/擦除在电源转换期间被锁定。
W＃引脚与状态寄存器位配合使用，以保护指定的存储区。状态寄存器中的状态寄存器块保护位（BP2，BP1，BP0）将部分存储器配置为只读
数据的完整性
耐久性：100K编程/擦除周期
数据保留期：10年
错误管理
内部ECC代码生成
1bit / 528byte ECC，1NOP / 528byte
封装
8pad 8x6 WSON
16pin SOIC 3亿
一般说明
ATO25D1GA是1G位，具有32Mbit的备用容量。该器件采用3.3V电源供电。其NAND单元为固态海量存储市场提供了最具成本效益的解决方案。存储器分为可独立擦除的块，因此可以在擦除旧数据的同时保留有效数据。该器件包含1024个块，由64页组成，由32个串联的闪存单元的两个NAND结构组成。可以在2048字节上以典型200us的速度执行编程操作，在128K字节块上以2ms的典型时间执行擦除操作。页面中的数据可以每个字节25ns的循环时间读取。片上写控制可自动执行所有编程和擦除功能，包括在需要时进行脉冲重复以及内部验证和数据余量处理。
ATO25D1GA具有串行外设接口和软件协议，可在单I / O模式下在简单的3线总线上运行。这三个信号是时钟输入（SCLK），串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过CS＃输入启用对设备的串行访问。当处于四个I / O读取模式时，SI引脚，SO引脚，WP＃引脚和HOLD＃引脚变为SIO0引脚，SIO1引脚，SIO2引脚和SIO3引脚，用于地址/虚拟位输入和数据输出。回写功能可以优化缺陷块管理：当页面编程操作失败时，可以将数据直接编程在同一数组部分内的另一个页面中，而无需耗时的串行数据插入阶段。
发出编程/擦除命令后，将执行自动编程/擦除算法，以编程/擦除并验证指定的页面或扇区/块位置。一次最多可以编程2 KB。可以以128KB擦除的组擦除页面。为了给用户提供方便的接口，其中包括一个状态寄存器以指示芯片的状态。可以通过OIP位发出状态读取命令以检测编程的完成状态或擦除操作。高级安全功能增强了保护和安全功能，请参阅安全功能部分以了解更多详细信息。
ATO25D1GA通过16KB（8页）安全OTP支持JEDEC标准制造商和设备识别。
逻辑图
信号名称
| 信号名称 | 功能 | 方向 |
| 时钟 | 串行时钟 | 输入项 |
| SI（SIO0） | 串行数据输入（用于1 I / O） 串行数据输入和 输出（用于4 I / O） | 输入输出 |
| SO（SIO1） | 串行数据输出（用于1 I / O） 串行数据输入和 输出（用于4 I / O） | 输入输出 |
| CS＃ | 片选 | 输入项 |
| 保持＃（SIO3） | 保持 串行数据输入和输出（用于4 I / O） | 输入输出 |
| VCC | 3.3V电源电压 | |
| 地线 | 地面 |
焊盘
信号说明
串行数据输出（SO）-SIO1
此输出信号用于将数据串行传输出设备。在所有读取模式下，数据在串行时钟（SCLK）的下降沿移出。另外，当器件处于四线模式时，此引脚（SO）用于SIO1
串行数据输入（SI）-SIO0
此输入信号用于将数据串行传输到设备中。它接收指令，地址和要编程的数据。值在串行时钟（SCLK）的上升沿锁存。此外，当器件处于四线模式时，此引脚（SI）用于SIO0
串行时钟（SCLK）
此输入信号提供串行接口的时序。串行数据输入（SI）上存在的指令，地址或数据在串行时钟（SCLK）的上升沿被锁存。串行数据输出（SO）上的数据在串行时钟（SCLK）的下降沿之后发生变化。
片选（CS＃）
当此输入信号为高电平时，该设备被取消选择，并且串行数据输出引脚处于高阻态。除非正在进行内部编程，擦除或写入状态寄存器循环，否则器件将处于待机模式（这不是深度掉电模式）。将芯片驱动选择为低（CS＃）使能该设备，使其处于有功功率模式。
上电后，在开始任何指令之前，都需要片选（CS＃）的下降沿。
Hold（HOLD＃）-SIO3
Hold（HOLD＃）信号用于暂停与设备的任何串行通信，而无需取消选择设备。
在保持条件期间，串行数据输出（SO）为高阻抗，而串行数据输入（SI）和串行时钟（SCLK）不在乎。
要启动保持条件，必须在片选（CS＃）驱动为低电平的情况下选择器件。同样，当状态寄存器的QE位设置为“高”时，Hold＃功能不可用，该引脚在四模式下用于SIO3。
写保护（W＃）-SIO2
此输入信号的主要目的是冻结受编程或擦除指令保护的内存区域的大小（由状态的BP2，BP1和BP0位中的值指定）寄存器）。
像Hold＃引脚一样，当状态寄存器的QE位设置为“高”时，W＃功能也将不可用，并且该引脚在四模式下用于SIO2。
内存组织
| Main Array(2,048 Bytes) | Spare Array(64 Bytes) | |||||||
| Area | 1 | 2 | 3 | 4 | 1 | 2 | 3 | 4 |
| Column Address | 000h | 200h | 400h | 600h | 800h | 810h | 820h | 830h |
| 1FFh | 3FFh | 5FFh | 7FFh | 80Fh | 81Fh | 82Fh | 83Fh | |
机械封装
| SYMBOL | MILLIMETERS | ||
| MIN. | NOM. | MAX. | |
| A | 0.70 | 0.75 | 0.80 |
| A1 | 0.00 | 0.02 | 0.05 |
| A3 | 0.20 REF. | ||
| b | 0.55 | 0.60 | 0.65 |
| D | 5.90 | 6.00 | 6.10 |
| E | 7.90 | 8.00 | 8.10 |
| e | 1.27 BSC | ||
| L | 1.90 | 1.95 | 2.00 |
| K | 0.20 | - | - |
| PAD SIZE | E2 | D2 | ||||
| MIN. | NOM. | MAX. | MIN. | NOM. | MAX. | |
| 3.35 | 3.40 | 3.45 | 4.25 | 4.30 | 4.35 | |
| SYMBOL | MILLIMETERS | INCHIES | ||
| MIN | MAX | MIN | MAX | |
| A | 2.36 | 2.64 | 0.093 | 0.104 |
| A1 | 0.10 | 0.30 | 0.005 | 0.012 |
| b | 0.33 | 0.51 | 0.013 | 0.020 |
| C | 0.18 | 0.28 | 0.007 | 0.000 |
| D(3) | 10.08 | 10.49 | 0.397 | 0.413 |
| E | 10.01 | 10.64 | 0.394 | 0.419 |
| E1(3) | 7.39 | 7.59 | 0.291 | 0.299 |
| e(2) | 1.27BSC | 0.050 | ||
| L | 0.39 | 1.27 | 0.015 | 0.050 |
| θ | 0º | 8º | 0º | 8º |
| y | --- | 0.076 | --- | 0.003 |
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电源转换： DC-DC升压转换、 DC-DC降压转换、 LDO低压差线性稳压器、 LED背光驱动
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电源管理： 锂电池充电管理、 锂电池保护、 QC快充协议、 过压&过流保护、 电压检测/复位芯片、 PMU、 显示屏电源芯片、 MOSFET、 ESD保护器件
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MCU微控制器： MCU、 指纹模组算法芯片、 安全加密芯片
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存储器： SDRAM、 DDR、 Flash、 EEPROM
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马达驱动： 步进电机驱动芯片、 无刷&有刷电机驱动芯片
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传感器件： 激光测距、 接近测距、 激光雷达、 毫米波雷达
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无线通信： 5G&4G通讯模组、 NB-IoT模组
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Other： 运算放大器、 OSD视频字符叠加芯片
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