ATO NAND FLASH：AFND1G08U3
ATO-SLC NAND FLASH-AFND1G08U3-1Gbit(128M×8Bit）
功能概要
电源
3.3V器件（AFND1G08U3）2.7V〜3.6V
组织
存储单元阵列：（128M + 4M）x 8位
数据寄存器：（2048 + 64）x 8位
自动编程和擦除
页面程序：（2048 + 64）x 8位
块擦除：（128K + 4K）x 8位= 64页
页面读取操作
页面大小：（2048 + 64）x 8位
随机存取：25us（最大）
串行页面访问：25ns（最小）
快速写周期
编程时间：200us（Typ。）
块擦除时间：2ms（Typ。）CopyBack PROGRAM Operation
快速页面复制，无需外部缓冲
状态寄存器
正常状态寄存器（读/编程/擦除）
安全功能
OTP区域，16KB（8页）
硬件数据保护
电源转换期间编程/擦除被锁定
数据的完整性
耐用性：100K编程/擦除周期（具有1bit / 528byte ECC）
数据保留期：10年
包
AFND1G08U3：无铅封装
48pin TSOP（12 x 20 / 0.5毫米间距
48球FBGA：9.0 x 9.0 x 1.0mm
48球FBGA：6.5 x 8.0 x 1.0mm
工作温度
商业：0°C〜70°C
工业温度：40°C〜85°C
一般说明
AFND1G08U3是1G位，具有32Mbit的备用容量。该器件采用3.3V电源供电。其NAND单元为固态海量存储市场提供了最具成本效益的解决方案。存储器分为可独立擦除的块，因此可以在擦除旧数据的同时保留有效数据。该器件包含1024个块，由64页组成，由16个串联闪存单元的两个NAND结构组成。可以在2048字节上以典型200us的速度执行编程操作，在128K字节块上以2ms的典型时间执行擦除操作。页面中的数据可以每个字节25ns的循环时间读取。I / O引脚用作地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。使用/ CE，/ WE，ALE和CLE输入引脚同步引入命令，数据和地址。每次操作期间，输出引脚R / B（漏极开路缓冲器）发出信号以指示设备状态。在具有多个存储器的系统中，R / B引脚可以全部连接在一起以提供全局状态信号。片上写控制可自动执行所有编程和擦除功能，包括在需要时进行脉冲重复以及内部验证和数据余量处理。通过为ECC（错误校正码）提供实时映射输出算法，即使是写密集型系统也可以利用AFND1G08U3扩展的100K编程/擦除周期可靠性。片上写控制可自动执行所有编程和擦除功能，包括在需要时进行脉冲重复以及内部验证和数据余量处理。通过为ECC（错误校正码）提供实时映射输出算法，即使是写密集型系统也可以利用AFND1G08U3扩展的100K编程/擦除周期可靠性。片上写控制可自动执行所有编程和擦除功能，包括在需要时进行脉冲重复以及内部验证和数据余量处理。通过为ECC（错误校正码）提供实时映射输出算法，即使是写密集型系统也可以利用AFND1G08U3扩展的100K编程/擦除周期可靠性。
该芯片可以提供/ CE无关功能。该功能允许微控制器从NAND闪存设备直接下载代码，因为/ CE转换不会停止读取操作。
回写功能可以优化缺陷块管理：当页面编程操作失败时，可以将数据直接编程在同一数组部分内的另一个页面中，而无需耗时的串行数据插入阶段。此外，该设备还包括其他功能，例如OTP区域，阻止机制。
AFND1G08U3是大型非易失性存储应用（例如固态文件存储和其他需要非易失性的便携式应用）的最佳解决方案。
引脚配置（TSOP1）
封装尺寸
引脚配置（48ball-FBGA）
封装外形图（48ball-FBGA 6.5x8mm）
引脚说明
| 引脚名称 | 引脚功能 |
| I/O0〜I/O7 | 数据输入/输出 I/O引脚用于输入命令，地址和数据，并在读取操作期间输出数据。取消选择芯片或禁用输出时，I/O引脚悬空至高阻z。 |
| CLE | 命令闩锁使能 CLE输入控制发送到命令寄存器的命令的激活路径。当高电平有效时，命令在/ WE信号的上升沿通过I/O端口锁存到命令寄存器中。 |
| ALE | 地址锁存使能 ALE输入控制地址到内部地址寄存器的激活路径。地址在ALE高电平时锁存在/ WE的上升沿 |
| /CE | 芯片使能 /CE输入是设备选择控件。当设备处于繁忙状态时，/CE高电平将被忽略，并且在编程或擦除操作中设备不会返回待机模式。关于读取操作期间的/CE控制，请参见设备操作的“页面读取”部分。 |
| /RE | READ ENABLE /RE输入是串行数据输出控件，激活时将数据驱动到I/O总线上。数据在/RE下降沿之后有效tREA，这也会使内部列地址计数器加1。 |
| /WE | 写入使能 /WE输入控件写入I/O端口。命令，地址和数据在/WE脉冲的上升沿锁存。 |
| /WP | 写保护 /WP引脚在电源转换期间提供了意外的写/擦除保护。/WP引脚为低电平有效时，内部高压发生器复位。 |
| R/B | READY / BUSY输出 R/B输出指示设备操作的状态。为低时，表示正在进行擦除随机读取操作的程序，并在完成时返回高状态。它是开漏输出，当取消选择芯片或禁用输出时，它不会浮到高阻状态。 |
| Vcc | 电源 Vcc是设备的电源。 |
| VS | 地面 |
| N.C | 无连接 导线未在内部连接。 |
AFND1G08U3功能框图
AFND1G08U3阵列组织
| I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | ||
| 1st Cycle | A0 | A1 | A2 | A3 | A4 | A5 | A6 | A7 | Column Address |
| 2nd Cycle | A8 | A9 | A10 | A11 | *L | *L | *L | *L | Column Address |
| 3rd Cycle | A12 | A13 | A14 | A15 | A16 | A17 | A18 | A19 | Row Address |
| 4th Cycle | A20 | A21 | A22 | A23 | A24 | A25 | A26 | A27 | (Page Address) |
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