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ATO NAND FLASH：AFND1208U1

产品详细

ATO-SLC NAND FLASH-AFND1208U1-512Mbit

512Mbit（64Mx8Bit） NAND FLASH

功能概要

电源

3.3V器件（AFND1208U1）2.7V〜3.6V

组织

存储单元阵列：（64M + 2M）x 8位
数据寄存器：（512 + 16）x 8位

自动编程和擦除

页面程序：（512 + 16）x 8位
块擦除：（16K +512）Bytes = 32pages

页面读取操作

页面大小：（512 + 16）Bytes
随机存取：15us（最大）
串行页面访问：30ns（最小）

快速写周期

编程时间：200us（Typ。）
块擦除时间：2ms（Typ。）CopyBack PROGRAM Operation
快速页面复制，无需外部缓冲

命令寄存器操作

安全功能

OTP区域，16KB（32页）

硬件数据保护

电源转换期间编程/擦除被锁定

数据的完整性

耐久性：100K编程/擦除周期（具有1bit / 528byte ECC）
数据保留期：10年

封装

AFND1208U1：无铅封装
48pin TSOP（12 x 20 / 0.5毫米间距
48Ball FBGA：9.0 x 9.0 x 1.0mm

工作温度

商业：0°C〜70°C
工业温度：40°C〜85°C

一般说明

AFND1208U1为512Mbit，具有16Mbit的备用容量。该器件采用3.3V电源供电。

其NAND单元为固态海量存储市场提供了最具成本效益的解决方案。存储器分为可独立擦除的块，因此可以在擦除旧数据的同时保留有效数据。该器件包含4096个块，由32页组成，包括16个串联闪存单元的两个NAND结构。可以在528字节上以200us典型的速度执行编程操作，在16 KB块上以2 ms的典型速度执行擦除操作。页面中的数据可以30字节/字节的周期时间读出。 I / O引脚用作地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。使用/ CE，/ WE，ALE和CLE输入引脚同步引入命令，数据和地址。每次操作期间，输出引脚R / B（漏极开路缓冲器）发出信号以指示设备状态。在具有多个存储器的系统中，R / B引脚可以全部连接在一起以提供全局状态信号。片上写控制可自动执行所有编程和擦除功能，包括在需要时进行脉冲重复以及内部验证和数据余量处理。通过为ECC（纠错码）提供实时映射输出算法，即使是写密集型系统也可以利用AFND1208U1扩展的100K编程/擦除周期可靠性。

该芯片可以提供/ CE无关功能。该功能允许微控制器从NAND闪存设备直接下载代码，因为/ CE转换不会停止读取操作。

回写功能可以优化缺陷块管理：当页面编程操作失败时，可以将数据直接编程在同一数组部分内的另一个页面中，而无需耗时的串行数据插入阶段。此外，该设备还包括其他功能，例如OTP区域，阻止机制，加电时自动读取，读取ID2扩展。

AFND1208U1是大型非易失性存储应用（例如固态文件存储和其他需要非易失性的便携式应用）的最佳解决方案。

引脚配置（TSOP1）

包装尺寸

48PIN铅/铅免费塑料薄型小外形包装类型（I）

引脚配置（48ball-FBGA）

封装外形图（48ball-FBGA 9x9mm）

引脚说明

引脚名称	引脚功能
I/O0〜I/O7	数据输入/输出 I/O引脚用于输入命令，地址和数据，并在读取操作期间输出数据。取消选择芯片或禁用输出时，I/O引脚悬空至高阻z。
CLE	命令闩锁使能 CLE输入控制发送到命令寄存器的命令的激活路径。当高电平有效时，命令在/WE信号的上升沿通过I/O端口锁存到命令寄存器中。
ALE	地址锁存使能 ALE输入控制地址到内部地址寄存器的激活路径。地址在ALE高电平时锁存在/ WE的上升沿
/CE	芯片使能 /CE输入是设备选择控件。当设备处于繁忙状态时，/CE高电平将被忽略，并且在编程或擦除操作中设备不会返回待机模式。关于读取操作期间的/ CE控制，请参见设备操作的“页面读取”部分。
/RE	READ ENABLE /RE输入是串行数据输出控件，激活时将数据驱动到I/O总线上。数据在/RE下降沿之后有效tREA，这也会使内部列地址计数器加1。
/WE	写入使能 /WE输入控件写入I/O端口。命令，地址和数据在/WE脉冲的上升沿锁存。
/WP	写保护 /WP引脚在电源转换期间提供了意外的写/擦除保护。/WP引脚为低电平有效时，内部高压发生器复位。
R/B	READY / BUSY输出 R/B输出指示设备操作的状态。为低时，表示正在进行擦除随机读取操作的程序，并在完成时返回高状态。它是开漏输出，当取消选择芯片或禁用输出时，它不会浮到高阻状态。
Vcc	电源 Vcc是设备的电源。
VS	地面
N.C	无连接导线未在内部连接。

AFND1208U1功能框图

AFND1208U1阵列组织

	I/O 0	I/O 0	I/O 0	I/O 0	I/O 0	I/O 0	I/O 0	I/O 0
1st Cycle	A0	A1	A2	A3	A4	A5	A6	A7	Column Address
2nd Cycle	A9	A10	A11	A12	A13	A14	A15	A16	Row Address
3rd Cycle	A17	A18	A19	A20	A21	A22	A23	A24	(Page Address)
4th Cycle	A25	*L	*L	*L	*L	*L	*L	*L

512Mbit（32Mx16Bit） NAND FLASH

功能概要

电源

3.3V器件（AFND1216U1）2.7V〜3.6V

组织

存储单元阵列：（32M + 1M）x 16位
数据寄存器：（256 + 8）x 16位

自动编程和擦除

页面程序：（256 + 8）x 16位
区块擦除：（8K +256）字

页面读取操作

页面大小：（256 + 8）字
随机存取：15us（最大）
串行页面访问：30ns（最小）

快速写周期

编程时间：200us（Typ。）
块擦除时间：2ms（Typ。）CopyBack PROGRAM Operation
快速页面复制，无需外部缓冲

命令寄存器操作

安全功能

OTP区域，16KB（32页）

硬件数据保护

电源转换期间编程/擦除被锁定

数据的完整性

耐用性：100K编程/擦除周期（具有1bit / 528byte ECC）
数据保留期：10年

封装

AFND1216U1：无铅封装
48pin TSOP（12 x 20 / 0.5毫米间距）
48Ball FBGA：9.0 x 9.0 x 1.0mm

工作温度

商业：0°C〜70°C
工业温度：40°C〜85°C

一般说明

AFND1216U1为256Mbit，备用容量为8Mbit。该器件采用3.3V电源供电。

其NAND单元为固态海量存储市场提供了最具成本效益的解决方案。存储器分为可独立擦除的块，因此可以在擦除旧数据的同时保留有效数据。该器件包含4096个块，由32页组成，包括16个串联闪存单元的两个NAND结构。编程操作可以在264字中以典型的200us执行，擦除操作可以在8K字块中以典型的2ms执行。页面中的数据可以30字节/字节的周期时间读出。 I / O引脚用作地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。使用/ CE，/ WE，ALE和CLE输入引脚同步引入命令，数据和地址。每次操作期间，输出引脚R / B（漏极开路缓冲器）发出信号以指示设备状态。在具有多个存储器的系统中，R / B引脚可以全部连接在一起以提供全局状态信号。片上写控制可自动执行所有编程和擦除功能，包括在需要时进行脉冲重复以及内部验证和数据余量处理。通过为ECC（纠错码）提供实时映射输出算法，即使是写密集型系统也可以利用AFND1216U1扩展的100K编程/擦除周期可靠性。

该芯片可以提供/ CE无关功能。该功能允许微控制器从NAND闪存设备直接下载代码，因为/ CE转换不会停止读取操作。

AFND1216U1是大型非易失性存储应用（如固态文件存储和其他便携式设备）的最佳解决方案