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ATO NAND FLASH：AFND1208U1

ATO NAND FLASH：AFND1208U1(图1)

ATO-SLC NAND FLASH-AFND1208U1-512Mbit


512Mbit（64Mx8Bit） NAND FLASH

功能概要

电源

  • 3.3V器件（AFND1208U1）2.7V〜3.6V


组织

  • 存储单元阵列：（64M + 2M）x 8位

  • 数据寄存器：（512 + 16）x 8位


自动编程和擦除

  • 页面程序：（512 + 16）x 8位

  • 块擦除：（16K +512）Bytes = 32pages


页面读取操作

  • 页面大小：（512 + 16）Bytes

  • 随机存取：15us（最大）

  • 串行页面访问：30ns（最小）


快速写周期

  • 编程时间：200us（Typ。）

  • 块擦除时间：2ms（Typ。）CopyBack PROGRAM Operation

  • 快速页面复制，无需外部缓冲


命令寄存器操作

  • -


安全功能

  • OTP区域，16KB（32页）


硬件数据保护

  • 电源转换期间编程/擦除被锁定


数据的完整性

  • 耐久性：100K编程/擦除周期（具有1bit / 528byte ECC）

  • 数据保留期：10年


封装

  • AFND1208U1：无铅封装

  •  48pin TSOP（12 x 20 / 0.5毫米间距

  •  48Ball FBGA：9.0 x 9.0 x 1.0mm


工作温度

  • 商业：0°C〜70°C

  • 工业温度：40°C〜85°C



一般说明

AFND1208U1为512Mbit，具有16Mbit的备用容量。该器件采用3.3V电源供电。


其NAND单元为固态海量存储市场提供了最具成本效益的解决方案。存储器分为可独立擦除的块，因此可以在擦除旧数据的同时保留有效数据。该器件包含4096个块，由32页组成，包括16个串联闪存单元的两个NAND结构。可以在528字节上以200us典型的速度执行编程操作，在16 KB块上以2 ms的典型速度执行擦除操作。页面中的数据可以30字节/字节的周期时间读出。 I / O引脚用作地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。使用/ CE，/ WE，ALE和CLE输入引脚同步引入命令，数据和地址。每次操作期间，输出引脚R / B（漏极开路缓冲器）发出信号以指示设备状态。在具有多个存储器的系统中，R / B引脚可以全部连接在一起以提供全局状态信号。片上写控制可自动执行所有编程和擦除功能，包括在需要时进行脉冲重复以及内部验证和数据余量处理。通过为ECC（纠错码）提供实时映射输出算法，即使是写密集型系统也可以利用AFND1208U1扩展的100K编程/擦除周期可靠性。


该芯片可以提供/ CE无关功能。该功能允许微控制器从NAND闪存设备直接下载代码，因为/ CE转换不会停止读取操作。


回写功能可以优化缺陷块管理：当页面编程操作失败时，可以将数据直接编程在同一数组部分内的另一个页面中，而无需耗时的串行数据插入阶段。此外，该设备还包括其他功能，例如OTP区域，阻止机制，加电时自动读取，读取ID2扩展。


AFND1208U1是大型非易失性存储应用（例如固态文件存储和其他需要非易失性的便携式应用）的最佳解决方案。


引脚配置（TSOP1）

ATO NAND FLASH：AFND1208U1(图2)


包装尺寸

48PIN铅/铅免费塑料薄型小外形包装类型（I）

ATO NAND FLASH：AFND1208U1(图3)


引脚配置（48ball-FBGA）

ATO NAND FLASH：AFND1208U1(图4)


封装外形图（48ball-FBGA 9x9mm）

ATO NAND FLASH：AFND1208U1(图5)


引脚说明

引脚名称引脚功能
I/O0〜I/O7数据输入/输出
I/O引脚用于输入命令，地址和数据，并在读取操作期间输出数据。取消选择芯片或禁用输出时，I/O引脚悬空至高阻z。
CLE命令闩锁使能
CLE输入控制发送到命令寄存器的命令的激活路径。当高电平有效时，命令在/WE信号的上升沿通过I/O端口锁存到命令寄存器中。
ALE地址锁存使能
ALE输入控制地址到内部地址寄存器的激活路径。
地址在ALE高电平时锁存在/ WE的上升沿
/CE芯片使能
/CE输入是设备选择控件。当设备处于繁忙状态时，/CE高电平将被忽略，并且在编程或擦除操作中设备不会返回待机模式。关于读取操作期间的/ CE控制，请参见设备操作的“页面读取”部分。
/REREAD ENABLE
/RE输入是串行数据输出控件，激活时将数据驱动到I/O总线上。数据在/RE下降沿之后有效tREA，这也会使内部列地址计数器加1。
/WE写入使能
/WE输入控件写入I/O端口。命令，地址和数据在/WE脉冲的上升沿锁存。
/WP写保护
/WP引脚在电源转换期间提供了意外的写/擦除保护。/WP引脚为低电平有效时，内部高压发生器复位。
R/BREADY / BUSY输出
R/B输出指示设备操作的状态。为低时，表示正在进行擦除随机读取操作的程序，并在完成时返回高状态。它是开漏输出，当取消选择芯片或禁用输出时，它不会浮到高阻状态。
Vcc电源
Vcc是设备的电源。
VS地面
N.C无连接
导线未在内部连接。


AFND1208U1功能框图

ATO NAND FLASH：AFND1208U1(图6)


AFND1208U1阵列组织

ATO NAND FLASH：AFND1208U1(图7)


I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0
1st CycleA0A1A2A3A4A5A6A7Column Address
2nd CycleA9A10A11A12A13A14A15A16Row Address
3rd CycleA17A18A19A20A21A22A23A24(Page Address)
4th CycleA25*L*L*L*L*L*L*L


更多产品信息及试用

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512Mbit（32Mx16Bit） NAND FLASH

功能概要

电源

  • 3.3V器件（AFND1216U1）2.7V〜3.6V


组织

  • 存储单元阵列：（32M + 1M）x 16位

  • 数据寄存器：（256 + 8）x 16位


自动编程和擦除

  • 页面程序：（256 + 8）x 16位

  • 区块擦除：（8K +256）字


页面读取操作

  • 页面大小：（256 + 8）字

  • 随机存取：15us（最大）

  • 串行页面访问：30ns（最小）


快速写周期

  • 编程时间：200us（Typ。）

  • 块擦除时间：2ms（Typ。）CopyBack PROGRAM Operation

  • 快速页面复制，无需外部缓冲


命令寄存器操作

  • -


安全功能

  • OTP区域，16KB（32页）


硬件数据保护

  • 电源转换期间编程/擦除被锁定


数据的完整性

  • 耐用性：100K编程/擦除周期（具有1bit / 528byte ECC）

  • 数据保留期：10年


封装

  • AFND1216U1：无铅封装

  •   48pin TSOP（12 x 20 / 0.5毫米间距）

  •   48Ball FBGA：9.0 x 9.0 x 1.0mm


工作温度

  • 商业：0°C〜70°C

  • 工业温度：40°C〜85°C


一般说明

AFND1216U1为256Mbit，备用容量为8Mbit。该器件采用3.3V电源供电。


其NAND单元为固态海量存储市场提供了最具成本效益的解决方案。存储器分为可独立擦除的块，因此可以在擦除旧数据的同时保留有效数据。该器件包含4096个块，由32页组成，包括16个串联闪存单元的两个NAND结构。编程操作可以在264字中以典型的200us执行，擦除操作可以在8K字块中以典型的2ms执行。页面中的数据可以30字节/字节的周期时间读出。 I / O引脚用作地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。使用/ CE，/ WE，ALE和CLE输入引脚同步引入命令，数据和地址。每次操作期间，输出引脚R / B（漏极开路缓冲器）发出信号以指示设备状态。在具有多个存储器的系统中，R / B引脚可以全部连接在一起以提供全局状态信号。片上写控制可自动执行所有编程和擦除功能，包括在需要时进行脉冲重复以及内部验证和数据余量处理。通过为ECC（纠错码）提供实时映射输出算法，即使是写密集型系统也可以利用AFND1216U1扩展的100K编程/擦除周期可靠性。


该芯片可以提供/ CE无关功能。该功能允许微控制器从NAND闪存设备直接下载代码，因为/ CE转换不会停止读取操作。


回写功能可以优化缺陷块管理：当页面编程操作失败时，可以将数据直接编程在同一数组部分内的另一个页面中，而无需耗时的串行数据插入阶段。此外，该设备还包括其他功能，例如OTP区域，阻止机制，加电时自动读取，读取ID2扩展。


AFND1216U1是大型非易失性存储应用（如固态文件存储和其他便携式设备）的最佳解决方案


引脚配置（TSOP1）

ATO NAND FLASH：AFND1208U1(图8)


包装尺寸

48引脚无铅/无铅塑料薄型小型外形封装类型（I）

ATO NAND FLASH：AFND1208U1(图9)


引脚配置（48ball-FBGA）

ATO NAND FLASH：AFND1208U1(图10)


封装外形图（48ball-FBGA 9x9mm）

ATO NAND FLASH：AFND1208U1(图11)


引脚说明

引脚名称引脚功能
I/O0〜I/O15数据输入/输出
I/O引脚用于输入命令，地址和数据，并在读取操作期间输出数据。取消选择芯片或禁用输出时，I/O引脚悬空至高阻z。
CLE命令闩锁使能
CLE输入控制发送到命令寄存器的命令的激活路径。当高电平有效时，命令在/ WE信号的上升沿通过I/O端口锁存到命令寄存器中。
ALE地址锁存使能
ALE输入控制地址到内部地址寄存器的激活路径。地址在ALE高电平时锁存在/ WE的上升沿
/CE芯片使能
/CE输入是设备选择控件。当设备处于繁忙状态时，/CE高电平将被忽略，并且在编程或擦除操作中设备不会返回待机模式。关于读取操作期间的/CE控制，请参见设备操作的“页面读取”部分。
/REREAD ENABLE
/RE输入是串行数据输出控件，激活时将数据驱动到I/O总线上。数据在/ RE下降沿之后有效tREA，这也会使内部列地址计数器加1。
/WE写入使能
/WE输入控件写入I/O端口。命令，地址和数据在/WE脉冲的上升沿锁存。
/WP写保护
/WP引脚在电源转换期间提供了意外的写/擦除保护。/WP引脚为低电平有效时，内部高压发生器复位。
R/BREADY / BUSY输出
R/B输出指示设备操作的状态。为低时，表示正在进行擦除随机读取操作的程序，并在完成时返回高状态。它是开漏输出，当取消选择芯片或禁用输出时，它不会浮到高阻状态。
Vcc电源
Vcc是设备的电源。
VS地面
数控无连接
导线未在内部连接。


AFND1216U1功能框图

ATO NAND FLASH：AFND1208U1(图12)


AFND1216U1阵列组织

ATO NAND FLASH：AFND1208U1(图13)


I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0
1st CycleA0A1A2A3A4A5A6A7Column Address
2nd CycleA9A10A11A12A13A14A15A16Row Address
3rd CycleA17A18A19A20A21A22A23A24(Page Address)
4th CycleA25*L*L*L*L*L*L*L


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  • 音频编解码器： Codec、 ADC、 DAC、 音频功放、 硅麦、 耳放

  • 射频器件： 北斗定位芯片、 北斗定位模块、 低噪声放大器、 2.4GHz无线射频芯片、 NFC非接触式读写器芯片

  • 电源转换： DC-DC升压转换、 DC-DC降压转换、 LDO低压差线性稳压器、 LED背光驱动

  • 电源管理： 锂电池充电管理、 锂电池保护、 QC快充协议、 过压&过流保护、 电压检测/复位芯片、 PMU、 显示屏电源芯片、 MOSFET、 ESD保护器件

  • MCU微控制器： MCU、 指纹模组算法芯片、 安全加密芯片

  • 存储器： SDRAM、 DDR、 Flash、 EEPROM

  • 马达驱动： 步进电机驱动芯片、 无刷&有刷电机驱动芯片

  • 传感器件： 激光测距、 接近测距、 激光雷达、 毫米波雷达

  • 无线通信： 5G&4G通讯模组、 NB-IoT模组

  • Other： 运算放大器、 OSD视频字符叠加芯片

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