ATO-SLC NAND FLASH-AFND1208S1-512Mbit

512Mbit（64Mx8Bit） NAND FLASH

功能概要

电源

• 1.8V器件（AFND1208S1）1.7V〜1.95V

组织

• 存储单元阵列：（64M + 2M）x 8位

• 数据寄存器：（512 + 16）x 8位

自动编程和擦除

• 页面程序：（512 + 16）Bytes

• 块擦除：（16K +512）Bytes

页面读取操作

• 页面大小：（512 + 16）Bytes

• 随机存取：15us（最大）

• 串行页面访问：50ns（最小）

快速写周期

• 编程时间：200us（Typ。）

• 块擦除时间：2ms（Typ。）CopyBack PROGRAM Operation

• 快速页面复制，无需外部缓冲

命令寄存器操作

• -

安全功能

• OTP区域，16KB（32页）

硬件数据保护

• 电源转换期间编程/擦除被锁定

数据的完整性

• 耐用性：100K编程/擦除周期（具有1bit /528byte ECC）

• 数据保留期：10年

封装

AFND1208S1：无铅封装

• 48pin TSOP（12 x 20 /0.5毫米间距

• 48Ball FBGA：9.0 x 9.0 x 1.0mm

工作温度

• 商业：0°C〜70°C

• 工业温度：40°C〜85°C

一般说明

AFND1208S1为512Mbit，具有16Mbit的备用容量。该器件采用1.8V电源供电。

其NAND单元为固态海量存储市场提供了最具成本效益的解决方案。

可以在528字节上以200us典型值执行编程操作，在16K字节块上以2ms典型值执行擦除操作。页面中的数据可以每个字节50ns的循环时间读取。 I/O引脚用作地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。使用/CE，/WE，ALE和CLE输入引脚同步引入命令，数据和地址。每次操作期间，输出引脚R /B（漏极开路缓冲器）发出信号以指示设备状态。在具有多个存储器的系统中，R /B引脚可以全部连接在一起以提供全局状态信号。片上写控制可自动执行所有编程和擦除功能，包括在需要时进行脉冲重复以及内部验证和数据余量处理。通过为ECC（纠错码）提供实时映射输出算法，即使是写密集型系统也可以利用AFND1208S1扩展的100K编程/擦除周期可靠性。

该芯片可以提供/CE无关功能。该功能允许微控制器从NAND闪存设备直接下载代码，因为/CE转换不会停止读取操作。

回写功能可以优化缺陷块管理：当页面编程操作失败时，可以将数据直接编程在同一数组部分内的另一个页面中，而无需耗时的串行数据插入阶段。此外，此设备还包括其他功能，例如OTP区域。

AFND1208S1是大型非易失性存储应用（例如固态文件存储和其他需要非易失性的便携式应用）的最佳解决方案。

引脚配置（TSOP1）

封装尺寸

48引脚无铅/无铅塑料薄型小型外形封装类型（I）

引脚配置（48ball-FBGA）

包装外形图（48ball-FBGA 9x9mm）

引脚说明

AFND1208S1功能框图

AFND1208S1阵列组织

512Mbit（32Mx16Bit） NAND FLASH

功能概要

电源

• 1.8V器件（AFND1216S1）1.7V〜1.95V

组织

• 存储单元阵列：（32M + 1M）x 16位

• 数据寄存器：（256 + 8）x 16位

自动编程和擦除

• 页面程序：（256 + 8）个单词

• 块擦除：（8K + 256）个字

页面读取操作

• 页面大小：（256 + 8）个字

• 随机存取：15us（最大）

• 串行页面访问：50ns（最小）

快速写周期

• 编程时间：200us（Typ。）

• 块擦除时间：2ms（Typ。）CopyBack PROGRAM Operation

• 快速页面复制，无需外部缓冲

命令寄存器操作

• -

安全功能

• OTP区域，8K字（32页）

硬件数据保护

• 电源转换期间编程/擦除被锁定

数据的完整性

• 耐用性：100K编程/擦除周期具有1bit /264Words ECC）

• 数据保留期：10年

封装

• AFND1216S1：无铅封装

• 48pin TSOP（12 x 20 /0.5毫米间距）

• 48Ball FBGA：9.0 x 9.0 x 1.0mm

工作温度

• 商业：0°C〜70°C

• 工业温度：40°C〜85°C

一般说明

AFND1216S1为512Mbit，备用容量为8Mbit。该器件采用1.8V电源供电。

其NAND单元为固态海量存储市场提供了最具成本效益的解决方案。

可以在264Words上典型地以200us执行编程操作，而在8KWords块上典型地以2ms执行擦除操作。每个字可以以50ns的循环时间读取页面中的数据。 I/O引脚用作地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。使用/CE，/WE，ALE和CLE输入引脚同步引入命令，数据和地址。每次操作期间，输出引脚R /B（漏极开路缓冲器）发出信号以指示设备状态。在具有多个存储器的系统中，R /B引脚可以全部连接在一起以提供全局状态信号。片上写控制可自动执行所有编程和擦除功能，包括在需要时进行脉冲重复以及内部验证和数据余量处理。通过为ECC（纠错码）提供实时映射算法，即使是写密集型系统也可以利用AFND1216S1扩展的100K编程/擦除周期可靠性。

该芯片可以提供/CE无关功能。该功能允许微控制器从NAND闪存设备直接下载代码，因为/CE转换不会停止读取操作。

回写功能可以优化缺陷块管理：当页面编程操作失败时，可以将数据直接编程在同一数组部分内的另一个页面中，而无需耗时的串行数据插入阶段。此外，此设备还包括其他功能，例如OTP区域。

AFND1216S1是大型非易失性存储应用（如固态文件存储和其他要求非易失性的便携式应用）的最佳解决方案。

引脚配置（TSOP1）

封装尺寸

48引脚无铅/无铅塑料薄型小型外形封装类型（I）

引脚配置（48ball-FBGA）

包装外形图（48ball-FBGA 9x9mm）

引脚说明

AFND1216S1功能框图

AFND1216S1阵列组织

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• 音频编解码器： Codec、 ADC、 DAC、 音频功放、 硅麦、 耳放

• 射频器件： 北斗定位芯片、 北斗定位模块、 低噪声放大器、 2.4GHz无线射频芯片、 NFC非接触式读写器芯片

• 电源转换： DC-DC升压转换、 DC-DC降压转换、 LDO低压差线性稳压器、 LED背光驱动

• 电源管理： 锂电池充电管理、 锂电池保护、 QC快充协议、 过压&过流保护、 电压检测/复位芯片、 PMU、 显示屏电源芯片、 MOSFET、 ESD保护器件

• MCU微控制器： MCU、 指纹模组算法芯片、 安全加密芯片

• 存储器： SDRAM、 DDR、 Flash、 EEPROM

• 马达驱动： 步进电机驱动芯片、 无刷&有刷电机驱动芯片

• 传感器件： 激光测距、 接近测距、 激光雷达、 毫米波雷达

• 无线通信： 5G&4G通讯模组、 NB-IoT模组

• Other： 运算放大器、 OSD视频字符叠加芯片